科启达公司IR芯片收购 重庆回收晶振光耦
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐
压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。2013年9月12日我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300VIGBT模块通过专家鉴定，中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
WR04X1003FTL
TLE9262-3BQX
IBM25PPC405GPR-3DB333C
XC4005E-3PQ160C
TC74VHC32FN-ELP
TLE4269GL
3006P-1-103
EM78P156ELP
CD4012BE
FP7102XR-LF
REF198ESZ
RJ14-1/4W-1.3Ω-±1%-±100×10-6/℃
MIC284-3YMM TR
TIP41C
C2012COG1H332JT
RM04FTN2742
GT24C16A-2ZLI-TR
3266W-1-203
LT1761ES5-SD#TRMPBF
SMDUT4018N-3R3M
BCM4752IFBG
IRF2907ZPBF
PHA061B-100MS
1W1258WOV0-04K
PC888JCS-BLACK
W2011-02RVA-S01
ATTINY24A-MU
BR24G02NUX-3BTR
ADF4218LBRUZ ADF4252BCPZ ADF4350BCPZ ADF4351BCPZADF4360-0BCPZ ADF4360-2BCPZ ADF4360-3BCPZ
RC0402FR-0722RL
SN75C189AN
SOMC-1601-561J
CR-06FL7-0R3
RC0402FR-073R6L
CR-05JL7-130R
ADS62P45IRGCR ADS62P48IRGCR ADS62P49IRGCR ADS6422IRGCR ADS6423IRGCR ADS6424IRGCR ADS6425IRGCR
W2417-03SWA-K00
ADM809RARTZ ADM809SAKSZ ADM809SARTZ ADM809TARTZ ADM809ZAKSZ ADM809ZARTZ ADM810JAKSZ
CC0201KRX7R8BB102
TA8637BP TA8637BF TDA9801T ACU50752 LA7567E
MTN4N60I3
S150RB21-MTL
D18V0L1B2LP-7B
CLH0603T-3N3S-F
3296W-1-204LF
Bead080580Ohm2A
MSH6000A(
CDCM7005RGZT
026302.5MXL
MTP4435BV8-0-T6-G
GRM188R71C474KA88D
贴片电源IC_LP5907QMFX-3.0Q1
AS3909-BQTM
RS-03K303JT
AUO-P201.1F
XC4VSX55-10FFG1148I XC4VSX55-11FF1148I XC4VSX55-11FFG1148C XC4VSX55-11FFG1148I XC4VSX55-12FFG1148C XC4VSX55-11FF1148C XC4VFX12-10FF668I
XC5VLX155T-2FFG1738C XC5VLX155T-2FFG1738I XC5VLX155T-3FF1136C XC5VLX155T-3FF1738C XC5VLX155T-3FFG1136C XC5VLX155T-3FFG1738C XC5VLX155-1FF1153C
RC0402FR-07267RL
MCR10EZPJ822
NT50508VG/A
RC0402JR-0756RL
CKJ5-160/1.14 220V
P6SMB200CA
BZT52C24
RS-03K243FT
RM04FTN4641
L297
RM04FTN1800
HYB18T1G800CF-3S
3006P-1-201
UJA1162TK
BAV99GP