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场效应晶体管（FET）缩写为FET。导体涉及多数传导，也称为单极晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（108~109Ω），低噪声，低功耗，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽安全工作区等。它已成为功能强大的双极晶体管和功率晶体管。竞争者场效应管具有输入阻抗高、噪声小等优点，在各种电子器件中也得到了广泛的应用。特别是当场效应晶体管作为整个电子设备的输入级时，一般晶体管很难达到的性能。场效应管分为结型和绝缘门型两大类，其控制原理相同。如图1-1-1所示，两种符号：3，场效应管和晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，晶体管是电流控制元件。当信号源只允许较少的电流时，应选择场效应管。当信号电压低并允许从信号源中获取更多电流时，应使用晶体管。